생각하는 공대생 (제닉스)

지난글에서는 DRAM 성능을 발전시키기 위한 기술발전 중 커패시터에 관련된 내용을 살펴보았다.2025.07.15 - [메모리 소자 이론] - DRAM의 전부 2편 (한계점, 기술 발전 - 커패시터 관련) 이번글에서는 DRAM 성능을 발전시키기 위한 기술발전 중 트랜지스터에 관련된 내용을 살펴보려고 한다. 트랜지스터 특성 개선트랜지스터의 특성을 개선하여 누설전류를 최소화 하는 전략 또한 존재한다. 마찬가지로 cell 크기가 미세화 되면서 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain) 사이 거리 (=Channel 길이) 또한 가까워지게 (짧아지게) 되었는데, 이에따라 게이트 전압 없이, 드레인에 가해지는 전압만으로도 전자가 흘러버리는 Short Channel Effect (SEC)이 발생하며 누설전류..

지난 글에서 기본적인 DRAM의 정의와 기본 구조, 동작 원리 등을 살펴보았다. DRAM의 전부 1편 (정의, 구조, 동작 원리, 특성 등)DRAM = Dynamic Random Access Memory의 약자이다. 메모리란 결국 정보를 저장하는 소자의 일종인데,이름의 뜻을 한번 살펴보자 ① DynamicDynamic RAM(DRAM)은 기본적으로 1개의 트랜지스터(Transistor)와 1개의 커allgo77.tistory.com 이번편에서는 DRAM구조의 다양한 한계점과 차세대 DRAM으로 발전하기 위해 어떤 기술이 개선책으로 연구되었는지 자세하게 살펴보도록 하겠다. DRAM의 커패시터에 저장한 전하는 지속적으로 충전하지 않으면 저장된 값을 유지하지 못하고 지속적으로 방전된다. 이렇게 손실된 전하..

DRAM = Dynamic Random Access Memory의 약자이다. 메모리란 결국 정보를 저장하는 소자의 일종인데,이름의 뜻을 한번 살펴보자 ① DynamicDynamic RAM(DRAM)은 기본적으로 1개의 트랜지스터(Transistor)와 1개의 커패시터(Capacitor) - 1T1C의 구조를 갖고 있다. 커패시터에 전류를 흘려 충전하는 방식으로 메모리를 저장하며 커패시터에 전하가 저장되어 있는지 여부에 따라 데이터 '1'과 '0'을 구분하는 메모리 소자이다. 그런데 커패시터의 특성 상, 커패시터에 저장한 전하는 지속적으로 충전하지 않으면 저장된 값을 유지하지 못하고 지속적으로 방전된다. 저장된 전하가 방전되는 이유로는 누설전류(Leakage Current)가 지속적으로 발생하기 때문인데..