생각하는 공대생

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silicon oxide 2

반도체 공정의 기초물질

반도체 공정의 기초물질 : Silicon 초기 반소체와 트랜지스터는 게르마늄(Ge)을 기반으로 만들어졌다. 그러나 현재 대부분의 회로는 실리콘(Si)을 기반으로 만들어진다. Si의 장점으로는 산화과정을 거쳐 SiO₂ (silicon oxide)를 생산할 수 있다는 점이다. SiO₂는 반도체 소자 내에서 고품질 절연체(high-quality insulator)의 역할뿐아니라 선택적 확산을 위한 우수한 barrier의 역할을 수행하며(excellent barrier for the selective diffusion) 자연에 풍부하여 가격이 저렴(low cost)하고, Ge보다 넓은 밴드갭으로인해 보다 높은 온도에서 작동할 수 있다는 장점이 있다.(operate at higher temperatures tha..

반도체 이론 2020.11.29

[반도체 공정] 4. 식각공정(Etching)

식각 공정 (Etching) 식각공정(Etching Process)이란 필요한 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하는 과정이다. 이는 곧 반도체 회로패턴을 만든다는 의미도 된다. Etching을 나타내는 성능지수 (FOM : figures of merit)에는 크게 두가지가 있다. 첫번째는 식각 속도(Etch Rate)로 식각 된 두께(thickness)/식각 시간(time)으로 정의된다. 이는 일정시간동안 식각이 일어나는 정도를 표현한 것이다. 대체로 조절가능한 빠른 식각속도가 선호된다.(high etch rate with good controllability is desirable) 두번째는 선택비(selectivity)로 물질 X의 식각속도/ 물질 Y의 식각속도로 정의된다. 주로 물질 X는 식각..

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