생각하는 공대생

앞서 살펴본 schottky contact과는 다르게 ohmic contact은 ohm's law를 따르는 경우를 말한다. 이 때문에 foward bias, reverse bias에 상관 없이 linear한 I-V curve의 형태가 나타나게 된다. Ohmic contact (with n-type semiconductor) Schotty contact과는 다르게 metal의 work function이 semiconductor의 work function 보다 작은 경우가 ohmic contact이 된다. Ohmic contact (with p-type semiconductor) p-type semiconductor의 경우 metal의 work function이 semiconductor의 work funct..

pn junction diode를 기반으로한 MOSFET, LED, PV와 같은 반도체 소자를 만들 때 금속(metal)과 반도체(semiconductor)간의 접합은 필수이다. 소자의 핵심 특성을 결정하는 active material는 semiconductor을 사용하며, 소자에 전압을 걸어주고 전류가 원활하게 흐를 수 있게하는 연결부인 전극(electrode)은 전도성이 뛰어난 금속을 사용하기 때문이다. 이때 소자가 정상적으로 작동하도록 하고 접합면에서 발생하는 현상을 예측하기 위해서는 이런 metal과 semiconductor의 접합 원리를 이해하는 것이 매우 중요하다. 이러한 contact의 종류에는 크게 schotty contact과 ohmic contact의 두가지 경우가 존재한다. Schot..

일반적인 pn junction diode에서 reverse bias를 가해줄 경우 전류가 흐르지 않는다. 그런데 특정 reverse bias 조건에서 전류가 흘러버리는 경우가 발생하는데 이를 breakdown이라고 한다. 이러한 breakdown의 종류에는 크게 두가지가 있는데 (1) Zener breakdown과 (2) Avalanche breakdown이다. (1) Zener breakdown Zener breakdown은 tunneling에 의해 발생하는 breakdown이다. 기본적으로 tunneling이 일어나기 위해서는 d (depletion region W)가 매우 좁아야한다. 위 그림에서 마찬가지로 p-type의 valence band에서 n-type의 conduction band로 전자가..

pn 접합 (pn junction) pn 접합(pn junction)이란 p-type 반도체와 n-type 반도체를 접합한 구조이다. p-type의 majority carrier은 정공이고 n-type의 majority carrier은 전자이기 때문에 이들의 농도차로 인해 확산(diffusion)이 일어난다. 이때 p-n 접합부에서는 전자(electron)와 정공(hole)이 서로 상쇄되어 공핍층(depletion layer)이 형성된다. 공핍층 안에서 n형 반도체 쪽은 donor 양이온이 많아 (＋)으로, p형 반도체 쪽은 acceptor 음이온이 많아 (ー)으로 대전되기 때문에 내부에 전기장(Electric field)이 발생하며 이에따른 전위차가 발생하게 된다. 여기서 주의할 점은 전자와 정공만이 ..