생각하는 공대생

Damascene 공법 Damascene 공법은 식각을 진행 한 후 식각된 부위에 물질을 증착한 후 표면을 갈아내는 상감기법이다. 여기서 Barrier로 사용되는 물질은 주로 Ti/TiN 또는 SiN을 사용한다. 또한, Step Coverage 향상을 위해 CVD로 증착을 진행한다. Barrier의 역할은 다음과 같다. 1. 금속과 실리콘 간의 확산을 방지 (Cu의 단점인 확산 방지) 2. Void가 생겨도 전기적 연결이 끊기지 않게 전자의 추가적인 경로 역할 (저항이 증가한다는 단점이 있음)

금속화 공정(Metallization) Metallization이란 반도체 공정에서 Contact (반도체에서 전기적인 신호를 받거나 내보내는 역할을 수행)과 Interconnection (서로다른 반도체 device간 연결선)을 제작하는 공정이다. 반도체에 사용되는 금속의 필요 조건은 다음과 같다. 1) 전기저항이 낮은 물질 금속선은 회로패턴을 따라 전류를 손실 없이 전달하는 역할을 하므로 무엇보다 전기저항이 낮은 물질(Au, Al, Cu)이어야 한다. 2) 반도체 기판(wafer)과의 부착성 기판에 박막형태로의 부착이 쉽고 부착 강도가 뛰어나 얇은 박막으로 증착할 수 있어야 한다. 3) 열적·화학적 안정성 금속 배선 공정 이후의 공정에서 금속선의 특성이 변하지 않는 것이 중요하다. 반도체 후속 공정에..

실리콘 웨이퍼 (Si wafer) 웨이퍼(wafer)는 반도체 소자의 기본이 되는 재료이다. 웨이퍼는 실리콘(Si)이나 갈륨 비소(GaAs) 등으로 이루어진 단결정 잉곳(Ingot)을 얇게 자른 판을 의미한다. 실리콘 웨이퍼 이런 웨이퍼에 여러가지 반도체 공정을 이용을 통해 반도체 회로를 새기고, 일정한 크기로 잘라주면 반도체 칩이 된다. 초기에 반도체는 저마늄(Ge)로 만들어졌다. (게르마늄=저마늄) 그러나 현재 웨이퍼는 대부분 모래에서 추출한 규소, 즉 실리콘(Si)으로 만든다. 실리콘은 지각에 매우 풍부하게 존재하는 원소 중 하나이기 때문에 경제적인 측면에서 우수하고, 독성이 없어 인체에 무해하다는 장점을 가지고 있기 때문이다. 실리콘의 산화(oxidation) 반응을 통해 SiO2를 쉽게 생산할 ..