반응형
Junction Spiking 현상
Junction Spiking이란, 높은 온도의 반도체 공정에서 Al과 Si가 activity difference에 의해 interdiffuse(상호 확산) 되면서 발생하는 현상이다. 만약 Si에 defect이 존재한다면 이러한 현상은 더욱 심해지며, device에 short를 일으켜 오작동하게 만든다.
Junction Spiking 해결법
Junction Spiking을 방지하기 위해서는 Al 내에 1%의 Si를 첨가한 합금(alloy)을 사용하면 된다. 첨가한 Si는 substrate에서 Si의 outdiffusion을 방지하는 역할을 한다.
그러나 반도체 공정에서 cooling & heating cycle을 반복하는 동안 Si의 solubility가 감소하여 grain boundary에서 Si가 석출(precipitate)되는 현상이 발생하며 이는 device의 electrical contact에 영향을 미칠 수 있다.
반응형
'반도체 이론' 카테고리의 다른 글
| 반도체 물질의 결정 결함 (crystal defects) (0) | 2020.12.09 |
|---|---|
| 반도체 공정의 기초물질 (0) | 2020.11.29 |
| pn 접합(pn junction)과 공핍층(depletion layer) (4) | 2019.06.13 |
| Damascene 공법 (0) | 2019.05.11 |
| Electromigration (4) | 2019.05.08 |